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　　紫外LED一般指發(fā)光中心波長在400nm以下的LED，但有時(shí)將發(fā)光波長大于380nm時(shí)稱為近紫外LED，而短于300nm時(shí)稱為深紫外LED。因短波長光線的殺菌效果高，因此紫外LED常用于冰箱和家電等的殺菌及除臭等用途[1] 。

　　產(chǎn)品方面，日亞化學(xué)工業(yè)上市了發(fā)光中心波長從365nm~385nm不等的品種，Nitride Semiconductor上市了發(fā)光中心波長為355nm~375nm不等的品種。

　　波長不足300nm的深紫外LED的開發(fā)活動(dòng)也很活躍。2008年理化學(xué)研究所和松下電工曾公布，采用GaN類半導(dǎo)體的InAlGaN開發(fā)出了發(fā)光中心波長為282nm，光輸出功率為10mW的深紫外LED。波長更短的深紫外LED方面，NTT物性科學(xué)基礎(chǔ)研究所采用AlN材料開發(fā)出了發(fā)光中心波長為210nm的深紫外LED。

　　紫外LED(UV LED)主要應(yīng)用在生物醫(yī)療、防偽鑒定、凈化(水、空氣等)領(lǐng)域、計(jì)算機(jī)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和軍事等方面。而且隨著技術(shù)的發(fā)展,新的應(yīng)用會(huì)不斷出現(xiàn)以替代原有的技術(shù)和產(chǎn)品,紫外LED有著廣闊的市場(chǎng)應(yīng)用前景,如紫外LED光療儀是未來很受歡迎的醫(yī)療器械,但是目前技術(shù)還處于成長期。

　　國內(nèi)紫外LED的發(fā)展現(xiàn)狀

　　"十一五"國家863計(jì)劃新材料技術(shù)領(lǐng)域重大項(xiàng)目"半導(dǎo)體照明工程"課題"深紫外LED 制備和應(yīng)用技術(shù)研究"經(jīng)過持續(xù)攻關(guān)，在高鋁組分材料研究和器件應(yīng)用方面取得重要突破。

　　半導(dǎo)體深紫外光源在照明、殺菌、醫(yī)療、印刷、生化檢測(cè)、高密度的信息儲(chǔ)存和保密通訊等領(lǐng)域具有重大應(yīng)用價(jià)值。以AlGaN材料為有源區(qū)的深紫外LED的發(fā)光波長能夠覆蓋210-365nm的紫外波段，是實(shí)現(xiàn)該波段深紫外LED器件產(chǎn)品的理想材料，具有其它傳統(tǒng)紫外光源無法比擬的優(yōu)勢(shì)。

　　在國家863計(jì)劃支持下，課題研究團(tuán)隊(duì)集中開展了基于MOCVD的深紫外LED材料和器件研究工作，著重解決材料存在的表面裂紋、晶體質(zhì)量差、鋁組分低、無法實(shí)現(xiàn)短波長發(fā)光和結(jié)構(gòu)材料設(shè)計(jì)等問題，在一些關(guān)鍵技術(shù)方面取得了突破，獲得了高結(jié)晶質(zhì)量無裂紋的高鋁組分材料。在此基礎(chǔ)上，課題在國內(nèi)首次成功制備了300nm以下的深紫外LED器件，實(shí)現(xiàn)了器件的毫瓦級(jí)功率輸出，開發(fā)了深紫外殺菌模塊，經(jīng)測(cè)試殺菌率達(dá)到95%以上。